SiC陶瓷材料以其具有耐高溫、耐磨損、高強(qiáng)度、高強(qiáng)度等優(yōu)異性能，近年來(lái)受到國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注。然而其高強(qiáng)度、高硬度的特點(diǎn)給生產(chǎn)和加工帶來(lái)很大困難。傳統(tǒng)陶瓷加工技術(shù)往往存在模具復(fù)雜，成本較高以及周期長(zhǎng)等問(wèn)題，成型復(fù)雜結(jié)構(gòu)件及其困難，因此探索無(wú)磨具法成型高性能、復(fù)雜結(jié)構(gòu)的SiC陶瓷基復(fù)合材料尤為重要。

與其他快速成型技術(shù)相比，選擇性激光燒結(jié)技術(shù)(SLS)成型大尺寸陶瓷結(jié)構(gòu)件速度快、精度高，目前應(yīng)用較廣泛，但由于SLS技術(shù)采用粉體進(jìn)行分層制造，因此該工藝制備的坯體存在致密度不高、強(qiáng)度較低等問(wèn)題。

陶瓷前驅(qū)體轉(zhuǎn)化工藝(PIP)是通過(guò)預(yù)制可轉(zhuǎn)化為陶瓷材料的聚合物，并充分利用其良好的可加工的特點(diǎn)，通過(guò)熱處理的方式獲得傳統(tǒng)陶瓷工藝難以獲得的先進(jìn)陶瓷材料。多次浸漬裂解可提高陶瓷材料的致密度，為復(fù)雜結(jié)構(gòu)和成型精度高的陶瓷結(jié)構(gòu)件的制備技術(shù)提供了新的途徑。

基于現(xiàn)有單獨(dú)實(shí)用SLS技術(shù)存在坯體致密度不高、強(qiáng)度較低的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陶瓷基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的制備方法，在前期選擇性激光燒結(jié)結(jié)合常壓浸漬裂解制備SiCP/SiC陶瓷基復(fù)合材料的研究基礎(chǔ)上，引入改良后的冷等靜壓工藝(CIP)，成功制備了近凈成型的梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的SiCP/SiC陶瓷基復(fù)合材料，將SLS、PIP、CIP三種成型工藝相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)制備SiC陶瓷基復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件。

陶瓷基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的制備方法包括以下步驟：

1)建立陶瓷基復(fù)合材料的三維結(jié)構(gòu)的數(shù)字模型；

2)將所述數(shù)字模型導(dǎo)入SLS設(shè)備，以混合有環(huán)氧樹(shù)脂的SiC復(fù)合粉末為原料進(jìn)行選擇性激光燒結(jié)，得到試件；

3)對(duì)試件進(jìn)行脫脂處理，得到坯體；

4)坯體稱得質(zhì)量為x1，然后放入密封袋中，且密封袋中注滿浸漬液，將密封袋送入CIP設(shè)備加壓處理，取出后得到濕坯體；

5)對(duì)濕坯體進(jìn)行高溫裂解處理，冷卻后稱得質(zhì)量為x2；其中，當(dāng)x2≥1.01*x1時(shí)重復(fù)步驟4和5，當(dāng)x2＜1.01*x1時(shí)即得陶瓷基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)件。

本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)：

1、通過(guò)3D打印技術(shù)實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)鑄造方法無(wú)法成型的梯度點(diǎn)陣陶瓷結(jié)構(gòu)件，大大縮短了的成型時(shí)間；

2、本發(fā)明將包覆于浸漬液中的試件，通過(guò)CIP技術(shù)進(jìn)行加壓浸漬，在保證試件尺寸不發(fā)生收縮的前提下，大大降低其閉孔率，進(jìn)而提升其致密性；

3、將3D打印陶瓷技術(shù)與PIP法浸漬裂解工藝和CIP冷等靜壓技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了梯度點(diǎn)陣碳化硅陶瓷基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)的近凈成型，制備出高致密性的梯度點(diǎn)陣的SiCp/SiC陶瓷基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)件。