普通許可：又稱為非獨占性許可，是許可方允許被許可方在規(guī)定的時間和地域內(nèi)使用某項專利，同時許可方自己仍保留在該地域內(nèi)使用該項技術(shù)，以及再與第三方就同一技術(shù)簽訂許可合同的權(quán)利。
特征：許可方有權(quán)實施，被許可方有權(quán)實施，許可方可繼續(xù)許可其它第三方實施。
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詳細介紹
本項目提供一種絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：S1：提供一sSOI襯底，在張應(yīng)變頂層硅表面外延生長一預(yù)設(shè)Ge組分的單晶SiGe薄膜；所述張應(yīng)變頂層硅的晶格長度與所述單晶SiGe薄膜的晶格長度相等；S2：在所述單晶SiGe薄膜表面形成一Si帽層；S3：將步驟S2獲得的結(jié)構(gòu)進行鍺濃縮，形成自下而上依次包含有背襯底、埋氧層、含鍺薄膜及SiO2層的疊層結(jié)構(gòu)；S4：腐蝕掉所述疊層結(jié)構(gòu)表面的SiO2層以得到絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過選擇合適張應(yīng)變頂層硅及相應(yīng)含鍺組分的單晶SiGe薄膜，使得張應(yīng)變頂層硅與其上的單晶SiGe薄膜的晶格匹配，從而降低缺陷來源，能夠獲得高質(zhì)量的SGOI或GOI材料。
專利介紹
| 序號 | 專利號 | 專利名稱 | 專利類型 | 專利狀態(tài) | 其他資料 |
|---|---|---|---|---|---|
1 |
一種絕緣體上含鍺薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法 |
發(fā)明專利 |
已下證 |
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無
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專利許可介紹
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所需材料
1.營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書復(fù)印件
1.營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書復(fù)印件
2.許可備案申請表中相關(guān)資料
3.專利證書原件
1.身份證復(fù)印件
2.許可備案申請表中相關(guān)資料
3.專利證書原件
浙公網(wǎng)安備33020002001156號
