近日，中國(guó)最大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的多項(xiàng) 3D NAND技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費(fèi)用。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的8項(xiàng)專利，這些專利涉及到3D NAND 存儲(chǔ)器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中指出，美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)來與進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，保護(hù)其市場(chǎng)份額，且美光未就使用上述專利支付合理費(fèi)用，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益，遏制了后者的創(chuàng)新動(dòng)力。

其還指控稱，美光在自己的專利文件中引用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)專利，證明美光了解長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利組合非常重要，但美光并未采取任何實(shí)際行動(dòng)尋求獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利授權(quán)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達(dá)產(chǎn)品永久禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長(zhǎng)江存儲(chǔ)支付專利授權(quán)費(fèi)等。

2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了第一代32層3D NAND閃存芯片，這款由團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年研發(fā)成功的首款32 層三維NAND閃存芯片，實(shí)現(xiàn)了零的突破。該芯片廣泛應(yīng)用在工控領(lǐng)域。

2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)開發(fā)了兩款128層閃存產(chǎn)品。

但2022年10月，美國(guó)政府發(fā)布出口管制條例，限制芯片制造設(shè)備向中國(guó)出口，同時(shí)在 12月，美國(guó)將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入出口管制實(shí)體清單。

據(jù)悉，NAND閃存和DRAM是存儲(chǔ)芯片的兩種主要類型，其中NAND 閃存可用于制造固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)設(shè)備。

閃存芯片（NAND ）是東芝的舛岡富士雄博士于 1986 年發(fā)明為非易失性存儲(chǔ)器。閃存芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)采用非線性宏單元模式，具備容量大，改寫速度快的優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于需要大量存儲(chǔ)空間的電子設(shè)備，例如固態(tài)硬盤（SSD）、智能手機(jī)、記憶卡、U 盤等。

1992 年東芝將 NAND Flash 設(shè)計(jì)授權(quán)給三星，同年英特爾也推出了第一款 NAND閃存產(chǎn)品。2007 年東芝率先推出基于 BiCS 技術(shù)的 3D NAND 芯片，正式開啟了3D NAND 大容量時(shí)代。

如今，伴隨著自動(dòng)駕駛、人工智能、元宇宙等新應(yīng)用在國(guó)內(nèi)的落地，國(guó)內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷提升，對(duì)國(guó)產(chǎn) NAND 存儲(chǔ)芯片的需求也有望不斷增長(zhǎng)。

此次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過對(duì)美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光發(fā)起專利訴訟，維護(hù)自身權(quán)益，不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性，也體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)作為企業(yè)發(fā)展的重要支撐，對(duì)企業(yè)的創(chuàng)新、增值和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)具有不可替代的作用。企業(yè)應(yīng)當(dāng)加大對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)和運(yùn)用力度，增強(qiáng)創(chuàng)新能力和競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)自身良性發(fā)展。