近日，據(jù)Tomshardware報(bào)道，中國(guó)3D NAND Flash大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）近日在美國(guó)加利福尼亞州北部地區(qū)再度對(duì)美光提起訴訟，指控這家美國(guó)公司侵犯了其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)要求法院勒令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，同時(shí)支付專利使用費(fèi)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND 存儲(chǔ)器以及美光的部分 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列）侵犯了其在美國(guó)提交的 11 項(xiàng)專利或?qū)＠暾?qǐng)。從相關(guān)作者收集的專利申請(qǐng)列表表明，它們涵蓋了 3D NAND 和 DRAM 功能的一般方面。 

據(jù)悉，2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了第一代32層3D NAND閃存芯片，這款由團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年研發(fā)成功的首款32 層三維NAND閃存芯片，實(shí)現(xiàn)了零的突破。該芯片廣泛應(yīng)用在工控領(lǐng)域。但2022年10月，美國(guó)政府發(fā)布出口管制條例，限制芯片制造設(shè)備向中國(guó)出口，同時(shí)在 12月，美國(guó)將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入出口管制實(shí)體清單，這大大增加了該公司從美國(guó)公司獲得先進(jìn)晶圓廠設(shè)備以制造其市場(chǎng)領(lǐng)先的 3D NAND 設(shè)備的難度。去年，該公司面臨更大的問題，因?yàn)槊绹?guó)商務(wù)部禁止銷售可用于制造具有超過 128 個(gè)活動(dòng)層的 3D NAND 的晶圓廠工具和技術(shù)，這對(duì)該公司來說是又一次打擊。 

盡管美國(guó)政府設(shè)置了嚴(yán)格的限制，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍在繼續(xù)發(fā)展其 3D NAND 存儲(chǔ)器。該公司的 Xtacking 3.0 閃存已投入量產(chǎn)（其中一些設(shè)備甚至不違反美國(guó)制裁），現(xiàn)在該公司正在開發(fā)采用其 Xtacking 4.0 架構(gòu)的 3D NAND  。此外，今年早些時(shí)候，該公司表示已成功將 3D QLC NAND 的耐用性大幅提高 到 3D TLC NAND 的水平（達(dá)到 4,000 次編程/擦除周期），這顯著改善了廉價(jià) SSD 的特性。 其實(shí)早在去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 (YMTC) 就在加州一家法院對(duì)美光科技提起專利侵權(quán)訴訟 。這場(chǎng)法律戰(zhàn)涉及八項(xiàng)與 3D NAND 技術(shù)相關(guān)的美國(guó)專利，涵蓋了現(xiàn)代閃存工作和制造的多個(gè)基本方面。

如今，伴隨著自動(dòng)駕駛、人工智能、元宇宙等新應(yīng)用在國(guó)內(nèi)的落地，國(guó)內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷提升，對(duì)國(guó)產(chǎn) NAND 存儲(chǔ)芯片的需求也有望不斷增長(zhǎng)。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，可能包括新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、優(yōu)化的數(shù)據(jù)處理算法、創(chuàng)新的存儲(chǔ)架構(gòu)、以及提高數(shù)據(jù)安全性和效率的硬件或軟件設(shè)計(jì)等，這些都是可以通過知識(shí)產(chǎn)權(quán)進(jìn)行保護(hù)的。企業(yè)還需要考慮專利布局和策略。這包括根據(jù)市場(chǎng)和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)制定合理的專利申請(qǐng)計(jì)劃、構(gòu)建專利組合以增強(qiáng)專利保護(hù)的力度、以及利用專利許可、轉(zhuǎn)讓等方式實(shí)現(xiàn)技術(shù)成果的商業(yè)化等。

【聲明】部分資料&圖片來源網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸屬原作者，本次引用屬于知識(shí)分享，如有不妥，請(qǐng)后臺(tái)聯(lián)系我們修改或刪除，謝謝！