近日，行業(yè)發(fā)生了一起標志性事件。Wolfspeed 在美國特拉華聯(lián)邦地區(qū)法院起訴 Navitas Semiconductor，指控其侵犯了5項與GaN和SiC相關(guān)的核心基礎(chǔ)專利。當前第三代半導體（GaN 氮化鎵 / SiC 碳化硅）已進入跨境雙向?qū)＠┺碾A段：海外巨頭憑借早期專利積累圍堵國產(chǎn)企業(yè)出海，國內(nèi)頭部廠商也依靠自研底層專利在本土市場實現(xiàn)反向制衡，訴訟頻率和覆蓋范圍持續(xù)升級，成為重塑產(chǎn)業(yè)格局的核心變量。

海外戰(zhàn)場（海外告國內(nèi)）：2026 年 5 月美國國際貿(mào)易委員會（ITC）終裁，認定中國廠商英諾賽科侵犯英飛凌 GaN 專利，對其實施進口及銷售禁令，阻擊國產(chǎn) GaN 產(chǎn)品進入美國市場。

中國戰(zhàn)場（國內(nèi)告海外）：2026 年 5 月蘇州中院一審、6 月最高法終局裁定，認定英飛凌 CoolGaN G3 系列產(chǎn)品侵權(quán)，判令立即停止在華銷售、進口，賠償 1000 萬元，這是國內(nèi)首個對海外功率半導體巨頭生效的專利禁令，標志著國產(chǎn)廠商具備反向制衡能力。

雙方糾紛已持續(xù) 27 個月，橫跨中、德、美三大司法轄區(qū)，是全球第三代半導體專利戰(zhàn)的縮影。

2026年5月27日，蘇州中院一審判決英飛凌侵權(quán)成立，需賠償1000萬元人民幣。隨后，中國最高人民法院維持了相關(guān)禁令，正式禁止英飛凌涉訴GaN產(chǎn)品在中國境內(nèi)銷售、進口。在上海慕尼黑電子展上，英飛凌相關(guān)產(chǎn)品因此被要求撤展。英飛凌在海外也獲得部分支持：與此同時，英飛凌在海外也取得了一些裁決。美國ITC在2026年5月裁定英諾賽科部分產(chǎn)品侵權(quán)并發(fā)布禁令。德國慕尼黑法院也曾在2025年8月判決英諾賽科侵權(quán)。不過，英諾賽科宣稱其當前主力在售產(chǎn)品不受這些海外禁令的實質(zhì)影響，仍可在美、德等國正常銷售。

GaN 功率器件年復合增長率達 49%，2028 年市場規(guī)模將突破 20 億美元；SiC 市場 2030 年有望超 200 億美元。下游新能源車、AI 數(shù)據(jù)中心、光伏儲能需求井噴，專利直接決定市場準入權(quán)和份額劃分。第三代半導體的器件結(jié)構(gòu)、外延制造工藝等基礎(chǔ)專利是最高壁壘，海外廠商早期布局領(lǐng)先，而國內(nèi)廠商近年實現(xiàn)底層技術(shù)突破，形成了部分交叉制衡的專利資產(chǎn)，具備了雙向維權(quán)的基礎(chǔ)。

美國碳化硅龍頭 Wolfspeed 向特拉華州法院起訴 Navitas，指控其全系列 GaN+SiC 功率器件侵犯 5 項底層基礎(chǔ)專利，覆蓋快充、工業(yè)、車規(guī)等全部核心產(chǎn)品線，訴求美國市場永久禁售。這是首次同時橫跨兩大第三代半導體技術(shù)路線的大規(guī)模訴訟，將專利戰(zhàn)從單一品類推向全領(lǐng)域。

GaN和SiC在快充、數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車等高速增長的市場中地位愈發(fā)重要。隨著市場規(guī)模擴大，專利成為鎖定市場、排除競爭對手的關(guān)鍵武器。巨頭構(gòu)建“專利護城河”：頭部企業(yè)通過訴訟捍衛(wèi)其巨額研發(fā)投入。例如，英飛凌在2023年收購GaN Systems后，其GaN專利家族超過450個。Wolfspeed也明確表示訴訟是為保護其數(shù)十年積累的知識產(chǎn)權(quán)。GaN和SiC的應用邊界正逐漸模糊，加劇了企業(yè)間的直接競爭。同時，市場競爭已從單一器件延伸至材料、模塊和封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈。以英諾賽科（全球GaN功率半導體出貨量第一，市占率42.4%-）為代表的中國企業(yè)，已從被動應對轉(zhuǎn)為主動出擊，利用本土法律武器進行“雙向維權(quán)”。

第三代半導體領(lǐng)域的專利訴訟已從偶發(fā)事件演變?yōu)槿蛐缘某B(tài)化商業(yè)競爭手段。企業(yè)間的攻防不再局限于單一市場，而是通過在美國、歐洲、中國等多個司法管轄區(qū)同時發(fā)起訴訟，形成復雜的全球法律博弈。這種“雙向維權(quán)”的格局，深刻反映了該領(lǐng)域技術(shù)、市場與知識產(chǎn)權(quán)交織的激烈競爭態(tài)勢。

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